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    公开号:WO1985005101A1
    申请号:PCT/JP1985/000212
    申请日:1985-04-18
    公开日:1985-11-21
    发明作者:Hiroyuki Suzuki；Kazunori Haraya；Tomosaburo Kitamura
    申请人:Sony Corporation；
    IPC主号:H01B3-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 害
    [0002] 発明の名称 誘電体磁器材料
    [0003] 技術分野
    [0004] 本発明は、 誘電体磁器材料、 特に例えはビデオテープレコーダ マイ ク ロフロ ッ ピーディ スク等の磁気へッ ドのガー ド材、 基扳材 等として最適な特性をもつ CaO- Ti02系の誘電体磁器材料に関す る。
    [0005] 背景技術
    [0006] 一般に、 ビデオテープレコ ーダ， マイ ク ロフロ ッ ピーディ スク 等に使用される磁気ヘッ ドでは、 その磁気記録媒体の対接面の一 部を形成する如く磁気ギヤ ッブを挟んで非磁性のガー ド材が配さ れる。 従来使用されている CaO と Ti02を主成分としたガー ド材は、 その空孔を少なく する為に、 . A ， Si, Ca, Mg, Sn, lて、 Ba, Sr 等の酸化物が添加剤として用いられる。 しかし、 その焼成温度は 一般に高く 、 その空孔も充分に小さ く なつていない。 この為、 そ の空孔に磁性粉が付着したり、 チッ ビングの為へッ ドゃシ一 ト等 の磁気記録媒体を傷つける事がある。 更に、 空孔を小さ く する為 には、 H I P (ホ ッ ト · ァイ ソスタティ ック ' ブレス） 処理ゃホ ッ トプレス処理等を施す必要があり、 コス ト高となっている。 又、 磁気コアとの熱膨張係数の違いは接着時の割れや剥れを生ずる原 因となっている。
    [0007] 本発明は、 上述の点に鑑み、 特殊処理を用いることな く通常焼 成で高密度化し、 また任意の熱膨張係数が得られる誘電体磁器材 料を提供するものである。
    [0008] 発明の開示
    [0009] 本発明は、 { Biy)0 } wo -x ( T i02 )xであって、 xが 40 〜 85モル％で表される基本組成において、 yを 0.005〜0.6 モル 比とし、 及びノ又は基本組成 100 重量部に対して 0.5〜7.0 重量 部の ZnO を添加して焼成して成る誘電体磁器材料である。
    [0010] ここで、 ZnO を添加した場合には、 上記 Biの ¾換量 yが 0 の場 合も舍むものである。
    [0011] 即ち、 ここでは CaO と Ti02の主成分に対して、 その Caの一部を Biに置換するか、 又は ZnO を添加するか、 又はその双方を加えて 成るものである。
    [0012] この発明では、 通常焼成法で空孔の少ない高密度の誘電体磁器 材料が得られる。 また Biの置換量によつて熱膨張係数が変えられ 発明を実施するための最良の形態
    [0013] 以下、 本発明の実施例を述べる。
    [0014] 本例では、 成分となる Ti02 , CaCOs , Bi203 , ZnO をボールミ ルで湿式混合し、 乾燥後、 粉碎し、 750で〜 900での間で仮焼を 行い、 その後粉砕した粉体を 1.0〜2.(ΗΖαίの圧力で成形し、 本 焼成して誘電体磁器材料を作製した。 本焼成は酸素雰囲気中で
    [0015] 1200で〜 1350での間で行った。 得られた各試料 （誘電体磁器材料） の諸特性を各表に示す。
    [0016] 尚、 各表に於て、 熱膨張係数は 50'C〜 400'cの間で調べた。 空 孔ランクは次のように決めた。 ランク 3 は空孔径.が 5〜 m 程 度、 ラ ンク 4は空孔痉が 3 〜 5 m 程度、 ラ ンク 5 は空孔径 3 # ra 以下である。
    [0017] なお、 上述の焼成温度は一例であって、 例えば.この焼成温度に 対して 100で程度の範囲で可変できるものである。
    [0018] 実施例 1
    [0019] 55モル％の Ti02と 45モル％の （Ca Biy)0 との混合物 100 重量部に対して 1.0 重量部の ZnO を添加し、 Biの置換量 yを 0〜 0.6まで変えて各試料 1 〜： 12を作製した。 この各試料の密度 （ g /^) 、 空孔ラ ンク、 熱膨張係数 （ X 10-7 ^y- ) の諸特性を表 1に示す。
    [0020] 表 1から明らかなように、 Βίの置換量が増加してい く につれて 焼成温度が下り、 又熱膨張係数も 120Χ 10·7 i/'c SOx lO—7 1 /でと変化していく のが認められる。
    [0021] 実施例 2
    [0022] 55モル％の Ti02と 45モル％の （Ca0.37Bi0.02) 0 との混合物 100 重量部に対して ZnO の添加量を 0 〜 7重量部と変えて各試料 13〜 18を作製した。 この各試料の諸特性を表 2に示す。
    [0023] 表 2から明らかのように、 ZnO の添加量が変化しても熱膨張係 数はほとんど変換しない。 なお ZnO の添加量が 7重量部より多く なると抗折強度等の低下がみられる。
    [0024] 実施例 3
    [0025] Xモル の Ti02と （100- x ) モル％の （Ca0. 32 s Bio. οε ) 0 と の混合物 100重量部に対して 1.0重量部の ZnO を添加し、 Ti02の モル％ xを 55〜 85まで変えて各試料 19〜 23を作製した。 この各試 料の諸特性を表 3に示す。
    [0026] 表 3からも明らかなように、 Ti02のモル％ Xが増加してい く に つれて熱膨張係数 oが低下していく 。 また空孔ランクは変化しな い。
    [0027] 実施例 4 -
    [0028] Xモル％の 1 02と （100- X ) モル％の （Ca0.3T Bio.02 ) 0 との 混合物 100重量部に対して 3.0重量部の ZnO を添加し、 Ti02のモ ル％を 40〜 70まで変えて各試料 24〜 27を作製した。 この各試料の 諳特性を表 4に示す。 '
    [0029] 実施例 5
    [0030] Xモル％の TiC と （ 100-x ) モル％の （Ca0.TBio.2) 0 との混合 物 100重量部に対して 1.0重量部の ZnO を添加し、 Ti02のモル％ Xを 50〜 75と変えて各試料 28〜 31を作製した。 この各試料の諸特 性を表 5に示す。
    [0031] 表 4及び表 5から実施例 4及び 5 は^に、 実施^ 3 と同じ様な 傾向を持つことが認められる。
    [0032] 実施例 6
    [0033] 70モル％の Ti02と 30モル％の （Cai-^y Biy) 0 との混合物 100 重量部に対して 1.0重量部の ZnO を添加し、 Biの置換量 yを 0.05 〜 0.3まで変えて各試料 32〜 35を作製した。 この各試料の諸特性 を表 6に示す。
    [0034] 実施例 7
    [0035] 80モル％の Ti( と 20モル％の （Cai- y Biy) 0 の混合物 100重 量部に対して 1.0重量部の ZnO を添加し、 Biの置換量 yを 0 〜0.05 まで変えて各試料 36〜 38を作製した。 この各試料の諸特性を表 7 に示す。
    [0036] TiC の Bi203の ZnOの添 SOS 空 孔
    [0037] モル％ (MiP) 度で ( g/d) ランク O-7 VC)
    [0038] No 1 55 0 1.0 1350 4.01 3 120
    [0039] Να 2 55 0,005 1.0 1350 4.04 5 117 OL 3 55 0.01 1.0 1350 4.06 5 1 14
    [0040] Να 4 55 0.02 L0 1350 4.12 5 111
    [0041] Νο 5 55 0.03 1.0 1350 4.14 5 112
    [0042] NOL 6 55 0.05 1.0 1350 4.21 5 1 1 1
    [0043] NOL 7 55 0.07 1.0 1300 4.29 5 1 1 3 a 8 55 0.1 1.0 1300 4.40 5 109 i 9 55 0.2 1.0 1250 4.76 5 107
    [0044] 55 0.3 1.0 1250 5.08 5 98
    [0045] Null 55 0.4 1.0 1250 5.44 4 90
    [0046] Nal2 55 0.6 1.0 1250 6.18 4 80 表 2
    [0047] 表 3
    [0048] 表 4
    [0049] 表 5 m TiOsの Bi203 の ZnOの添 ftfi 密 度 空 孔 繊
    [0050] モル％ 度で ( g/cd) ランク (X10"T ゾで） α28 50 0.2 1.0 1300 4.83 3 1 1 1 α29 55 0.2 1.0 1250 4.76 5 1 0 7
    [0051] Να30 70 0.2 1.0 1250 4.62 5 1 0 0 隨 75 0.2 1.0 1250 4.55 5 9 7
    [0052] C C C COO
    [0053] 表 6
    [0054] Ti02の Bi2 の ΖηΟの馳量 密 度 空 孔
    [0055] モル％ ®S^) ( g/ci) ランク (Χ10"Τ ゾで）
    [0056] 70 0.05 1.0 1300 4.27 5 100 70 0.1 1.0 1250 4.39 5 102 70 0.2 1.0 1250 4.62 5 100 70 0.3 1.0 1250 4.83 5 91
    [0057] TiC の Βΐ2θ3 の ZnOの添 SU 密 度 空 孔 m c モル％ ( g/d) ランク (xlO-7 VC)
    [0058] 80 0 1.0 1350 4.19 4 96 80 0.02 1.0 1350 4.22 5 95 80 0.05 1.0 1300 4.27 5 96 このよう に本発明による CaO- Ti02系の誘電体磁器材料は、 通. 常焼成法で高密度化され、 同時に Mの置換量を選ぶことによって 熱膨張係数 αを 80〜 120Χ 10-7 i / ^Cまで可変できるものである。
    [0059] また従来の通常焼成のものは、 仮焼が 900〜 1200¾ , 本焼成が 1260〜： L400*Cと高温を必要としていたが、 本発明では仮焼 750〜 900-c , 本焼成も 1200〜1350でで可能であり、 また仮焼時の仮ブ レスも必要がないという結果が得られている。
    [0060] 本発明によれば、 Ti02と CaO の主成分に対して Biと Znの酸化物 の少なく とも一種を加えることにより、 従来の H I P等の特殊処 理を施すことなく、 通常焼成法で空孔の少ない高密度の誘電体磁 器材料が得られる。 また熱膨張係数 orに関しては、 本発明も基本 的には Ca: Tiの比によって αを変化させているが、 特に Biの置換 量 yと Ca: Tiの比とによって "を変化させるので、 熱膨張係数 or が 80〜 120x It)-7 1ノでと広範面に変化させることができる。 即 ち熱膨張係数の選択によって何種類かの誘電体磁器材料が得られ、 目的とする材料特性 （ビッカース硬度， 焼成温度， 抗折強度） が何 種類かの添加剤を加えることな く得られるものである。 そして、 本誘電体磁器材料は通常焼成であるために安価に提供できる。 産業上の利用可能性
    [0061] 本発明による誘電体磁器材料は例えばビデオテープレコーダ， マイ ク ロフロ ッ ピーディスク等の磁気ヘッ ドのガー ド材， 基板材 に適用して好適ならしめるものである。
    权利要求:
    Claims

    請 求 の 範 囲
    { ( Biy)0 } ιοο-χ ( Ti02 )xであって xが 4G〜 85モル％ で表される基本組成において、 yを 0.005〜 0.6モル比とし、 及 び Z又は上記基本組成 100重量部に対して 0.5〜 7.0重量都の ZnO を添加して焼成して成る誘電体磁器材料。
    类似技术:
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1985-11-21| AK| Designated states|Designated state(s): US |
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    1985-12-23| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1985902128 Country of ref document: EP |
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    1990-12-05| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1985902128 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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